三星電子4nm工藝良率已提高至75%以上
7 月 11 日,已提Hi Investment & Securities 研究員樸相佑在一份報告中表示:“三星電子近期成功地提高了 4nm 工藝的星電成品率”,并提高了“高通和英偉達再次合作的工藝高至可能性”。
此前,良率三星電子代工廠曾經(jīng)歷過產(chǎn)品上市延遲以及 10nm 以下工藝良率提升緩慢的已提情況,導(dǎo)致主要客戶紛紛轉(zhuǎn)向臺積電。星電昆明外圍(外圍女)外圍上門(微信199-7144-9724)全國1-2線熱門城市快速安排30分鐘到達結(jié)果,工藝高至去年臺積電的良率資本支出和產(chǎn)能分別是三星電子代工業(yè)務(wù)的 3.4 倍和 3.3 倍。
在 7nm 以下的已提先進工藝方面,臺積電的星電市場占有率達到了 90%,這進一步拉大了兩公司之間的工藝高至差距。
隨著三星電子今年 4nm 工藝成品率超過 75%、良率3nm 工藝成品率超過 60%,再加上臺積電漲價的影響,業(yè)界認(rèn)為三星有望再次奪回被臺積電搶走的客戶,而且之前高通和英偉達等多位客戶也曾表示他們有必要將其外包生產(chǎn)進行多元化。
根據(jù)三星代工在 SFF 2023 上公布的最新工藝技術(shù)路線圖,該公司計劃在 2025 年推出 2 納米級的 SF2 工藝,2027 年推出 1.4 納米級的 SF1.4 工藝。與此同時,該公司還公布了 SF2 工藝的一些特性。
據(jù)了解,在擴大技術(shù)供應(yīng)的同時,三星仍然致力于擴大其在韓國平澤和美國得州泰勒市的產(chǎn)能。
三星計劃于 2023 年下半年在其平澤 P3 線開始量產(chǎn)芯片,而泰勒市新建廠房預(yù)計將于今年年底完工,并于 2024 年下半年開始運營。三星目前的計劃是到 2027 年將其潔凈室容量比 2021 年增加 7.3 倍。
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